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供应DALLAS《DS1230Y-100》256K非易失性 SRAM存储器

深圳市云顶娱乐官方网站电子原装现货供应DALLASDS1230Y-100》256K非易失性 SRAM存储器

批号:0626+

封装:PDIP

描述

DS1230 256k非易失性SRAM是262,144位,全静态,非易失性SRAM,其组织为32,768字乘以8位。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路它会持续监控V CC 的超限情况。当发生这种情况时,锂能源自动打开并无条件启用写保护防止数据损坏。DIP封装DS1230器件可代替现有的32k x 8静态器件使用RAM直接符合流行的字节宽28引脚DIP标准。DIP设备还与28256 EEPROM的引脚排列,可以直接替换,同时提高性能。DS1230器件“薄型模块”包装中的“ Low Profile”是专门为表面安装应用设计的。没有限制可以实行的写周期数,并且不需要其他支撑电路微处理器接口。

规格

存储器类型 非易失
存储器格式 NVSRAM
技术 NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量 256Kb (32K x 8)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 100ns
访问时间 100ns
电压 - 电源 4.5V ~ 5.5V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 通孔
封装/外壳 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商器件封装 28-EDIP

特征

至少保留10年

没有外部力量

上电期间自动保护数据失利

替换32k x 8易失性静态RAM,

EEPROM或闪存

无限写入周期

低功耗CMOS

读写访问时间高达70 ns

锂能源是电的

断开连接以保持新鲜度,直到断电

第一次申请充分

±10%VCC 工作范围(DS1230Y)可选的

±5%VCC 工作范围(DS1230AB)可选的工业温度范围

-40°C至+ 85°C,指定为INDJEDEC标准28引脚DIP封装

新的PowerCap模块(PCM)封装

--可直接表面安装的模块

--可更换的嵌入式PowerCap提供锂备用电池

--所有非易失性的标准化引脚排列SRAM产品

--PowerCap的分离功能允许使用普通螺丝刀轻松拆卸

实单者请联系陈生:

QQ:1668527835

电话:13410018555

网站:www.hkmjd.com

图片

DS1230Y-100

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点击数:0 | 更新时间:2020-06-03 12:03:21
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